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化合物半導體製程實作課
課程編號
課程名稱
梯次
課程開始日期
課程結束日期
報名開始日期
報名結束日期
上課地點
名額
詳細內容
ST20260701
氮化鎵HEMT元件製造流程與氮化鎵磊晶原理介紹
1
2026/10/16
2026/10/16
2026/9/2
2026/10/5
新竹市科學園區展業一路26號 R435會議室
3/30
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ST20260702
氮化鎵HEMT元件製造流程與氮化鎵磊晶原理介紹
2
2026/10/19
2026/10/19
2026/9/2
2026/10/5
新竹市科學園區展業一路26號 R435會議室
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ST20260703
氮化鎵HEMT元件製造流程與氮化鎵磊晶原理介紹
3
2026/10/21
2026/10/21
2026/9/2
2026/10/8
新竹市科學園區展業一路26號 R435會議室
1/30
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ST20260801
氮化鎵異質磊晶技術實作
1
2026/10/23
2026/10/23
2026/9/2
2026/10/13
新竹市科學園區展業一路26號 R435會議室
2/12
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ST20260802
氮化鎵異質磊晶技術實作
2
2026/10/27
2026/10/27
2026/9/2
2026/10/19
新竹市科學園區展業一路26號 R435會議室
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ST20260803
氮化鎵異質磊晶技術實作
3
2026/10/28
2026/10/28
2026/9/2
2026/10/19
新竹市科學園區展業一路26號 R435會議室
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ST20260901
氮化鎵HMET微影技術實作
1
2026/10/30
2026/10/30
2026/9/3
2026/10/21
新竹市科學園區展業一路26號 R435會議室
2/12
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ST20260902
氮化鎵HMET微影技術實作
2
2026/11/2
2026/11/2
2026/9/3
2026/10/22
新竹市科學園區展業一路26號 R435會議室
0/12
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ST20260903
氮化鎵HMET微影技術實作
3
2026/11/4
2026/11/4
2026/9/3
2026/10/25
新竹市科學園區展業一路26號 R435會議室
1/12
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ST20261001
氮化鎵HEMT蝕刻技術實作
1
2026/11/6
2026/11/6
2026/9/3
2026/10/27
新竹市科學園區展業一路26號 R435會議室
2/12
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ST20261002
氮化鎵HEMT蝕刻技術實作
2
2026/11/9
2026/11/9
2026/9/3
2026/10/29
新竹市科學園區展業一路26號 R435會議室
0/12
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ST20261003
氮化鎵HEMT蝕刻技術實作
3
2026/11/11
2026/11/11
2026/9/3
2026/10/29
新竹市科學園區展業一路26號 R435會議室
1/12
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ST20261101
氮化鎵HEMT金屬化技術實作 (e-gun/RTA)
1
2026/11/13
2026/11/13
2026/9/3
2026/10/29
新竹市科學園區展業一路26號 R435會議室
2/12
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ST20261102
氮化鎵HEMT金屬化技術實作 (e-gun/RTA)
2
2026/11/16
2026/11/16
2026/9/3
2026/11/10
新竹市科學園區展業一路26號 R435會議室
0/12
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ST20261103
氮化鎵HEMT金屬化技術實作 (e-gun/RTA)
3
2026/11/18
2026/11/18
2026/9/3
2026/11/10
新竹市科學園區展業一路26號 R435會議室
1/12
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ST20261201
氮化鎵HEMT薄膜技術實作 (ALD/PECVD) (選修)
1
2026/11/20
2026/11/20
2026/9/3
2026/11/11
新竹市科學園區展業一路26號 R435會議室
2/12
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ST20261202
氮化鎵HEMT薄膜技術實作 (ALD/PECVD) (選修)
2
2026/11/23
2026/11/23
2026/9/3
2026/11/16
新竹市科學園區展業一路26號 R435會議室
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ST20261203
氮化鎵HEMT薄膜技術實作 (ALD/PECVD) (選修)
3
2026/11/25
2026/11/25
2026/9/3
2026/11/15
新竹市科學園區展業一路26號 R435會議室
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